Product
/產品介紹
活性離子蝕刻機 Model：RIE-Clip Series
Reactive Ion Etcher (RIE)
規格：
一. 綜合說明：腔體上蓋板上掀式設計，手動放置晶片;無Load Lock。
機台規格
- 腔體：
鋁合金一體銑製成形無銲道，表面特殊硬陽極處理，以防止腐蝕。腔體塞入加熱管，可將腔體溫度控制在35~80°C，以防止開腔體時，濕氣沈積，污染腔體內壁。腔體尺寸380x380mm - 下電極：
下電極即為晶片載台。
聯接射頻(RF)電源,為電漿源及產生偏壓(Bias)。
晶片載台具有冷卻循環水控制載台溫度。 - 電漿源：
RF Generator 13.56MHz, 600W, 自動匹配器。 - 真空系統：
Turbo pump： Pumping speed>500L/sec,可將腔體壓力 (Base Pressure) 抽到至10-6Torr低壓，用來趕走腔體內殘存氣體,而不用在製程上。
Dry pump： Pumping speed >30L/sec
自動調壓閥(APC)，可自動將製程壓力控制在 50~1000 mTorr - 供氣系統：
SF6，CF4，O2 MFC各一具，0~100sccm
腐蝕性氣體有氮氣purge
依客戶製程需求增加製程氣體管路。 - 控制系統：
PC控制介面，在顯示器上，可做全部的手動操作，可執行全自動操作。
蝕刻性能規格
Nitride 及Oxide film，蝕刻速度為400A°/min以上，均勻度為±5%
機台尺寸
寬800x深1060x高1900mm
規格可依客戶需求調整
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駿佳科技有限公司
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