Product
/產品介紹
電漿輔助化學氣相沉積 Model: PECVD-Clip Series Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
規格：
一. 綜合說明：
腔體上蓋板上掀式設計，手動放置晶片,無Load Lock。
晶片尺寸: 8〞或8〞以下。
機台規格
- 腔體
鋁合金一體銑製成形無銲道，表面特殊陽極處理，以防止腐蝕。
腔體尺寸360x360mm；內徑 300mm。
(選項)--腔體可加循環水道，將腔體溫度控制在30~45°C，以防止開腔體時，濕氣沈積，污染腔體內壁。 - 上電極：
上電極即為氣體導流板(Shower Head)。
氣體導流板有上千小孔，以確保氣流均勻流入腔體;並具有冷卻水道以控制溫度。
氣體導流板聯接射頻(RF)電源。 - 電漿源：
RF Generator 13.56MHz, 600W
自動匹配器。 - 晶片加熱載台：
鋁材質製造, 內埋有電阻管加熱;配合PID溫控器，溫度可達400°C。均勻度<2%。 - 真空系統：
Turbo pump: Pumping speed>500L/sec,可快速將腔體壓力 (Base Pressure)抽到至10-6Torr低壓，並趕走腔體內殘存氣體,但不用在製程上。
Dry pump: Pumping speed >20L/sec
自動調壓閥(APC)，可自動將製程壓力控制在 500~10000 mTorr
Ion gauge x1, Baratron Gauge x1, Pirani Gauge x2 - 供氣系統：
質量流量控制器(MFC): SiH4/NH3/H2/N2O/CF4....等,0~200sccm;
依客戶製程需求。腐蝕性氣體有氮氣purge - 控制系統：PC控制介面，在顯示器上，可做全部的手動操作，可執行全自動操作。
鍍膜規格
Nitride 及Oxide film，鍍膜速度為500A°/min以上，均勻度為±5%
機台尺寸
寬800x深1060x高1900mm
規格可依客戶需求調整
CONTACT US
駿佳科技有限公司
地址：新竹市西大路643巷53號6樓
電話：886-3-5240157
歡迎各界指教與愛護，若有需要服務，請與我們聯絡。
TOP