活性離子蝕刻機(RIE)

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活性離子蝕刻機 Model: RIE-Clip Series

Reactive Ion Etcher (RIE)

規格:
一.	綜合說明:	腔體上蓋板上掀式設計，手動放置晶片;無Load Lock。
二.	機台規格:
	1. 腔體	鋁合金一體銑製成形無銲道，表面特殊硬陽極處理，以防止腐蝕。腔體塞入加熱管，可將腔體溫度控制在35~80°C，以防止開腔體時，濕氣沈積，污染腔體內壁。腔體尺寸380x380mm
	2. 下電極	下電極即為晶片載台。聯接射頻(RF)電源,為電漿源及產生偏壓(Bias)。晶片載台具有冷卻循環水控制載台溫度。

	3. 電漿源	RF Generator 13.56MHz, 600W 自動匹配器。
	4. 真空系統	Turbo pump: Pumping speed>500L/sec,可將腔體壓力 (Base Pressure) 抽到至10-6Torr低壓，用來趕走腔體內殘存氣體,而不用在製程上。 Dry pump: Pumping speed >30L/sec 自動調壓閥(APC)，可自動將製程壓力控制在 50~1000 mTorr
	5.供氣系統	SF6，CF4，O2 MFC各一具，0~100sccm 腐蝕性氣體有氮氣purge 依客戶製程需求增加製程氣體管路。
	6.控制系統	PC控制介面，在顯示器上，可做全部的手動操作，可執行全自動操作。
三.	蝕刻性能規格	Nitride 及Oxide film，蝕刻速度為400A°/min以上，均勻度為±5%
四.	機台尺寸	寬800x深1060x高1900mm

規格可依客戶需求調整

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地址:新竹市西大路643巷53號6樓

電話:03-5240157 傳真:03-5240217